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    TK10J80E,S1E
    TK10J80E,S1E-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
    器件封装：TO-3P（N）
    TK10J80E,S1E技术资料下载
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    市场上提供TK10J80E,S1E原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TK10J80E,S1E
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：π-MOSVIII
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1 欧姆 @ 5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-3P（N）
  • TK10J80E,S1E | 东芝半导体代理全新原装现货
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