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    TK39J60W,S1VQ
    TK39J60W,S1VQ-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
    器件封装：TO-3P（N）
    TK39J60W,S1VQ技术资料下载
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    市场上提供TK39J60W,S1VQ原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TK39J60W,S1VQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：DTMOSIV
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：38.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 19.4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.9mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：110nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4100pF @ 300V
  • FET功能：超级结
  • 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-3P（N）
  • TK39J60W,S1VQ | 东芝半导体代理全新原装现货
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