基本功能
制造商产品型号：TK9P65W,RQ制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：DTMOSIV零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：9.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：560 毫欧 @ 4.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 350μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 300VFET功能：-功率耗散（最大值）：80W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAKTK9P65W,RQ | 东芝半导体代理全新原装现货
