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    TPW1R306PL,L1Q
    TPW1R306PL,L1Q-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
    器件封装：8-DSOP Advance
    TPW1R306PL,L1Q技术资料下载
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    市场上提供TPW1R306PL,L1Q原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TPW1R306PL,L1Q
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSIX-H
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：260A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.29 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：91nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8100pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：960mW（Ta），170W（Tc）
  • 工作温度：175°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DSOP Advance
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