UnitedSiC碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）采用垂直沟道结型结构，具备常开与常关两种模式，导通电阻低、开关速度极快、耐高温且无栅氧可靠性问题。该系列产品适用于高频电源、光伏逆变、电机驱动及断路器等领域，为高效高功率密度设计提供理想解决方案。

UnitedSiC公司1200V SiC FET系列采用共源共栅结构，融合SiC JFET与Si MOSFET优势，具备低导通电阻、高开关频率及优异热性能。该系列产品适用于电动汽车充电、光伏逆变、工业电源等高压高效场景，为工程师提供高性能、高可靠性的功率解决方案。

UnitedSiC超低导通电阻SiC FET系列采用共源共栅结构，融合SiC JFET与低压Si MOSFET优势，实现业界领先的RDS(on)与低栅极电荷。适用于高效电源、电动汽车充电、光伏逆变及储能系统，显著降低导通损耗，提升功率密度与系统可靠性，是中大功率设计的理想选择。

UnitedSiC SiC JFET裸芯片采用碳化硅结型场效应晶体管技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，适用于高效功率转换、新能源汽车与工业电源等场景，为高可靠性设计提供理想选择。

UnitedSiC公司1700V SiC FET系列采用共源共栅结构，兼具高耐压与低导通电阻，适用于工业电源、光伏逆变、电动汽车充电等高压场景。该系列产品可显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度，为工程师提供优于传统硅基器件的选型方案。

UnitedSiC高频SiC功率模块采用共源共栅结构与银烧结封装，开关频率可达兆赫兹级，显著降低开关损耗与电磁干扰。适用于车载充电机、光伏逆变器、服务器电源及工业电机驱动，助力系统实现高功率密度与高效率。

UnitedSiC车规级SiC FET采用共源共栅结构，兼具高耐压与低导通电阻，通过AEC-Q101认证，适用于新能源汽车OBC、DC-DC及牵引逆变器，显著提升效率与功率密度。

UnitedSiC碳化硅肖特基二极管采用第三代宽禁带半导体材料，具备零反向恢复电荷、高温稳定性和高速开关特性。该系列产品可显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度，广泛应用于光伏逆变器、电动汽车充电桩、开关电源及工业电机驱动等领域，是高频高效功率变换的理想选择。

UnitedSiC碳化硅共源共栅场效应管融合常关型SiC JFET与低压硅MOSFET，实现高耐压、低导通电阻与高速开关。其门极驱动兼容硅器件，简化设计并提升系统可靠性，适用于高频高效功率转换场景，是替代传统硅基方案的关键器件。