UnitedSiC碳化硅JFET方案为不间断电源与电网设备提供高耐压、低损耗、高可靠性的功率器件，覆盖图腾柱PFC、双向DC-DC及固态断路器，助力实现高效、高功率密度与快速故障隔离。

UnitedSiC碳化硅功率器件为电池化成与测试设备提供高效率、高精度、高可靠性的电源解决方案，覆盖AC-DC、DC-DC及双向变换等关键环节，显著提升充放电效率与电流控制精度，助力客户缩短化成周期、降低能耗。

UnitedSiC以SiC MOSFET与共源共栅JFET为核心，为电动汽车OBC、DC-DC及直流快充桩提供高耐压、低损耗方案，助力800V平台与高功率密度设计，提升系统效率与可靠性。

UnitedSiC碳化硅器件为车载充电与DC-DC转换提供高频率、高效率、高耐温的功率方案，显著提升功率密度与续航表现。其SiC FET与共源共栅结构优化开关损耗，适配OBC与高压转低压场景，助力800V平台快速落地。

UnitedSiC碳化硅功率器件为通信基站与射频电源提供高效率、高功率密度方案。其SiC FET与共源共栅结构显著降低开关损耗，提升功放效率与热稳定性，适配5G宏基站、Massive MIMO及射频功放供电场景，助力运营商节能降本。

UnitedSiC碳化硅器件为光伏逆变与储能系统提供高耐压、低损耗的功率开关方案，覆盖组串式逆变器、储能变流器及双向DC-DC等场景，助力提升转换效率与功率密度，缩短开发周期并增强系统可靠性。

UnitedSiC碳化硅器件赋能智能电网与固态断路器，实现微秒级故障隔离与低损耗运行。其SiC JFET与共源共栅方案提升效率与可靠性，适用于中压直流配网、新能源并网及工业保护，助力构建高韧性电力电子系统。

UnitedSiC碳化硅器件为医疗设备电源提供高效、高可靠方案，覆盖CT、MRI、激光及手术设备。其低损耗、高开关频率特性助力小型化与散热优化，满足严苛安规与电磁兼容要求。

UnitedSiC碳化硅功率器件为航空航天与国防电源提供高可靠性解决方案，覆盖DC-DC转换、电机驱动、雷达供电等场景。其SiC FET具备耐高温、低损耗、高开关频率特性，显著提升功率密度与系统效率，满足严苛环境下的长寿命与抗辐射需求。