VIETES公司射频开关系列覆盖SPDT至SP8T多种拓扑，采用SOI与GaAs工艺，具备低插入损耗、高隔离度及快速切换特性，广泛应用于5G通信、Wi-Fi 6E、物联网及测试测量设备，为射频前端提供高可靠信号路由方案。

VIETES公司射频功率晶体管系列采用先进LDMOS与GaN工艺，覆盖HF至S波段，具备高增益、高线性度和优异热稳定性，适用于5G基站、工业射频加热及雷达系统。该系列兼顾效率与可靠性，为严苛射频功率场景提供理想选择。

VIETES射频功率放大器模块采用氮化镓与砷化镓工艺，覆盖Sub-6GHz至毫米波频段，具备高增益、高线性度与优异热管理能力。模块集成匹配网络与偏置电路，适用于5G基站、雷达及卫星通信，助力客户缩短射频前端设计周期。

VIETES公司低噪声放大器（LNA）系列专为射频前端设计，具备极低噪声系数与高增益特性，有效提升接收灵敏度。产品覆盖多频段与宽禁带应用，适用于5G基站、卫星通信及雷达系统，以高线性度和稳定性满足严苛环境需求。

VIETES公司推出的射频前端模块（RFFE Module）系列，集成功率放大器、低噪声放大器、开关与滤波器，支持5G Sub-6GHz及多频段载波聚合，具备高线性度与低功耗特性，适用于智能手机、CPE及物联网终端，助力射频链路设计简化与性能提升。

VIETES微波毫米波放大器覆盖DC至110GHz，基于GaAs与GaN工艺，提供高增益、低噪声及宽带功率方案，适用于5G毫米波、卫星通信、雷达与测试仪器，兼顾性能与可靠性。

VIETES氮化镓射频器件基于宽禁带半导体技术，具备高功率密度、高击穿电压与优异热导率，覆盖Sub-6GHz至毫米波频段。适用于5G基站、雷达、卫星通信等场景，兼顾效率与线性度，为高要求射频系统提供可靠核心器件。

VIETES射频衰减器系列提供宽频带、低驻波比、高衰减精度的同轴与芯片衰减方案，覆盖DC至毫米波频段。其产品具备优异的温度稳定性与功率承载能力，适用于5G通信、雷达、测试仪器及卫星系统，是射频链路中实现信号电平精确控制的关键无源器件。

VIETES公司射频收发组件（T/R Module）集成了功率放大、低噪声放大、幅相控制与收发切换功能，采用高集成度MMIC与先进封装工艺，具备高线性度、低噪声系数与快速波束切换能力。该系列产品广泛适用于相控阵雷达、卫星通信及电子对抗系统，为射频前端提供高可靠、小型化的国产化解决方案。