VisIC公司氮化镓车载充电器方案基于D3GaN技术，面向800V高压电动汽车平台，实现高功率密度与双向充放电。该方案显著降低开关损耗，提升系统效率，缩小体积与重量，适用于OBC及DC-DC转换，助力整车轻量化与续航提升。
VisIC公司氮化镓功率晶体管（GaN FET）基于先进D型架构，具备高电子迁移率与低导通电阻，支持高频高效开关。适用于电动汽车逆变器、数据中心电源及工业电机驱动，助力系统实现高功率密度与低损耗设计。
VisIC公司氮化镓电源模块采用高性能GaN HEMT技术，实现高频高效功率转换。具备低损耗、高功率密度与优异热管理特性，适用于数据中心、新能源汽车及工业电源等场景，是下一代电源设计的理想选择。
VisIC公司氮化镓功率模块采用高电子迁移率晶体管技术，实现低导通电阻与超快开关速度，显著降低开关损耗。其紧凑封装与高功率密度特性，适用于电动汽车逆变器、数据中心电源及工业电机驱动，助力系统提升效率与可靠性。
VisIC公司车规级氮化镓器件基于D3GaN技术，专为新能源汽车逆变器、车载充电及DC-DC转换设计。具备高开关频率、低损耗与高耐温特性，显著提升系统效率与功率密度，满足AEC-Q与ISO 26262功能安全要求，是下一代电动汽车功率电子的理想选择。
VisIC氮化镓半桥模块采用直接驱动D3GaN技术，集成650V GaN HEMT与驱动器，具备低导通电阻、高开关频率和优异热性能，适用于新能源汽车OBC、DC-DC及工业电源，助力高功率密度设计。
VisIC公司氮化镓电机驱动方案基于D3GaN技术，专为高功率密度、高效率电机控制设计。具备低开关损耗、高耐温与快速开关特性，显著提升逆变器效率与功率密度，适用于电动汽车、工业电机及航空航天等严苛场景，是下一代电力电子系统的理想选择。
VisIC公司氮化镓DC-DC转换器采用高电子迁移率晶体管技术，实现高频高效功率转换。产品具备低导通损耗、高开关频率及优异热性能，适用于新能源汽车、数据中心、工业电源等场景，为高功率密度设计提供理想解决方案。
VisIC公司氮化镓智能功率模块（GaN IPM）集成驱动与保护电路，具备高频低损耗、高功率密度与优异热性能，适用于电动汽车逆变器、工业电机驱动及高效电源系统，助力提升能效与可靠性。
