类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
封装:PowerPAK? SO-8 双
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基本功能
制造商产品型号:SI7956DP-T1-E3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:TrenchFET?零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):150V25°C时电流-连续漏极(Id):2.6A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):105 毫欧 @ 4.1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-功率-最大值:1.4W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:PowerPAK? SO-8 双SI7956DP-T1-E3 | Vishay代理全新原装现货
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