E3M0065090D-Wolfspeed公司-原装现货当天发货

E3M0065090D

制造：Wolfspeed公司

类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET

规格：SICFET N-CH 900V 35A TO247-3

封装:TO-247-3

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E3M0065090D 基本功能

型号:E3M0065090D
品牌:Wolfspeed, Inc. (Wolfspeed,科锐)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:SICFET N-CH 900V 35A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:84.5 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.4 nC @ 15 V
Vgs（最大值）:+18V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 600 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
E3M0065090D-Wolfspeed代理全新原装现货

关于Wolfspeed公司MORE...

碳化硅功率器件从实验室走向大规模商用，真正的分水岭出现在电动汽车主驱逆变器对高耐压、低损耗开关器件的迫切需求上，而Wolfspeed代理所承接的正是这条赛道上一家垂直整合能力极强的原厂产品线从碳化硅衬底、外延到MOSFET与功率模块，Wolfspeed的独特之处在于它同时掌握材料与器件两端，这在全球功率半导体阵营中并不多见。对我这样常年跟踪化合物半导体落地节奏的人来说，它的价值不只是替代硅基IGBT那么简单，而是让系统工程师在800V母线架构下重新计算开关频率、散热余量与整体效率成为可能。围绕典型终端市场，Wolfspeed的器件已经在车载充电机、DC-DC变换器、光伏组串逆变器、储能PCS以及工业电源等高功率密度场景中形成清晰的布局，尤其是在充电桩与服务器电源这类对能效和体积双重敏感的应用里，碳化硅方案正从“可选”变为“默认”。需要指出的是，供应端的衬底产能爬坡、8英寸晶圆转型节奏以及车规认证周期，共同决定了这类产品在客户端导入的窗口期与设计裕度，因此熟悉其产品路线图与失效模式，比单纯比较导通电阻更有意义。对于正在评估下一代功率拓扑的硬件团队而言，理解Wolfspeed在材料端的纵深，往往比看一份数据手册更能预判其长期供货能力与成本下降曲线。...