Wolfspeed碳化硅功率参考设计系列为工程师提供经过验证的SiC MOSFET与二极管应用方案，覆盖光伏逆变、储能、车载充电及工业电源等场景，加速高功率密度设计落地。

Wolfspeed碳化硅MOSFET基于宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温高频特性，显著降低开关损耗，提升系统功率密度。适用于电动汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高效能场景，是替代传统硅基器件的优选方案。

Wolfspeed射频碳化硅基氮化镓HEMT系列基于GaN-on-SiC工艺，兼具高功率密度、高击穿电压与优异散热特性，适用于5G基站、雷达及卫星通信等高频高功率场景，是替代传统LDMOS与GaAs器件的优选方案。

Wolfspeed碳化硅功率模块采用全碳化硅MOSFET与二极管架构，具备低导通电阻、高速开关与高温耐受特性，可显著降低开关损耗并提升功率密度，广泛应用于新能源汽车逆变器、光伏储能与工业电源等高效能场景。

Wolfspeed氮化镓HEMT系列基于先进GaN-on-SiC工艺，具备高电子迁移率、低导通电阻与优异开关特性，适用于高频高效电源、5G基站及雷达系统。其高耐压与低损耗特性助力系统小型化与能效提升，是下一代功率电子的理想选择。

Wolfspeed碳化硅肖特基二极管采用宽禁带SiC材料，具备零反向恢复电流、高耐压与优异高温特性，可显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度。适用于光伏逆变器、车载充电机、服务器电源及工业PFC等高频高功率场景。

Wolfspeed碳化硅功率评估套件为设计工程师提供快速验证SiC MOSFET与肖特基二极管性能的硬件平台，覆盖半桥、全桥及三相拓扑，支持高开关频率与高温工况测试，加速光伏逆变器、车载充电机及工业电源的研发迭代。

Wolfspeed碳化硅裸芯片采用第四代MOSFET技术，具备低导通电阻与高速开关特性，适用于新能源汽车、光伏逆变及工业电源等高效高功率密度场景，为功率电子设计提供卓越性能与可靠性保障。

Wolfspeed碳化硅功率器件栅极驱动板专为SiC MOSFET优化设计，具备高共模瞬态抗扰度、低传输延迟与高峰值驱动电流，可充分发挥碳化硅高频低损优势，适用于新能源汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高效高功率密度场景。