Wolfspeed碳化硅衬底采用PVT法生长，涵盖4H-SiC晶型，具备高击穿电场、高热导率与低缺陷密度。产品覆盖150mm与200mm量产平台，适用于新能源汽车、光伏逆变及射频器件，助力高功率密度与高效能设计。

Wolfspeed碳化硅外延片采用高质量SiC衬底与精准掺杂控制，具备低缺陷密度与优异厚度均匀性，专为1200V及以上功率器件设计，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变与工业电源，是高频高温高效能场景的理想选择。

Wolfspeed碳化硅肖特基二极管采用宽禁带SiC材料，具备零反向恢复电流、高耐压与优异高温特性，可显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度。适用于光伏逆变器、车载充电机、服务器电源及工业PFC等高频高功率场景。

Wolfspeed射频碳化硅基氮化镓HEMT系列基于GaN-on-SiC工艺，兼具高功率密度、高击穿电压与优异散热特性，适用于5G基站、雷达及卫星通信等高频高功率场景，是替代传统LDMOS与GaAs器件的优选方案。

Wolfspeed碳化硅裸芯片采用第四代MOSFET技术，具备低导通电阻与高速开关特性，适用于新能源汽车、光伏逆变及工业电源等高效高功率密度场景，为功率电子设计提供卓越性能与可靠性保障。

Wolfspeed碳化硅MOSFET基于宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温高频特性，显著降低开关损耗，提升系统功率密度。适用于电动汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高效能场景，是替代传统硅基器件的优选方案。

Wolfspeed碳化硅功率评估套件为设计工程师提供快速验证SiC MOSFET与肖特基二极管性能的硬件平台，覆盖半桥、全桥及三相拓扑，支持高开关频率与高温工况测试，加速光伏逆变器、车载充电机及工业电源的研发迭代。

Wolfspeed碳化硅功率参考设计系列为工程师提供经过验证的SiC MOSFET与二极管应用方案，覆盖光伏逆变、储能、车载充电及工业电源等场景，加速高功率密度设计落地。

Wolfspeed碳化硅功率模块采用全碳化硅MOSFET与二极管架构，具备低导通电阻、高速开关与高温耐受特性，可显著降低开关损耗并提升功率密度，广泛应用于新能源汽车逆变器、光伏储能与工业电源等高效能场景。