Wolfspeed碳化硅衬底采用PVT法生长，涵盖4H-SiC晶型，具备高击穿电场、高热导率与低缺陷密度。产品覆盖150mm与200mm量产平台，适用于新能源汽车、光伏逆变及射频器件，助力高功率密度与高效能设计。

Wolfspeed碳化硅功率评估套件为设计工程师提供快速验证SiC MOSFET与肖特基二极管性能的硬件平台，覆盖半桥、全桥及三相拓扑，支持高开关频率与高温工况测试，加速光伏逆变器、车载充电机及工业电源的研发迭代。

Wolfspeed碳化硅肖特基二极管采用宽禁带SiC材料，具备零反向恢复电流、高耐压与优异高温特性，可显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度。适用于光伏逆变器、车载充电机、服务器电源及工业PFC等高频高功率场景。

Wolfspeed碳化硅外延片采用高质量SiC衬底与精准掺杂控制，具备低缺陷密度与优异厚度均匀性，专为1200V及以上功率器件设计，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变与工业电源，是高频高温高效能场景的理想选择。

Wolfspeed氮化镓HEMT系列基于先进GaN-on-SiC工艺，具备高电子迁移率、低导通电阻与优异开关特性，适用于高频高效电源、5G基站及雷达系统。其高耐压与低损耗特性助力系统小型化与能效提升，是下一代功率电子的理想选择。

Wolfspeed碳化硅功率器件SPICE模型覆盖MOSFET与二极管，精准表征开关损耗与导通特性，助力工程师在光伏逆变、车载充电及工业电源中快速完成电路仿真与系统验证。

Wolfspeed碳化硅功率参考设计系列为工程师提供经过验证的SiC MOSFET与二极管应用方案，覆盖光伏逆变、储能、车载充电及工业电源等场景，加速高功率密度设计落地。

Wolfspeed碳化硅MOSFET基于宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温高频特性，显著降低开关损耗，提升系统功率密度。适用于电动汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高效能场景，是替代传统硅基器件的优选方案。

Wolfspeed碳化硅功率器件栅极驱动板专为SiC MOSFET优化设计，具备高共模瞬态抗扰度、低传输延迟与高峰值驱动电流，可充分发挥碳化硅高频低损优势，适用于新能源汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高效高功率密度场景。