FF07007M2Q-fastSiC公司-原装现货当天发货

FF07007M2Q

制造：fastSiC公司

类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET

规格：SICFET N-CH 750V 209A TO-247-4L

封装:TO-247-4L

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FF07007M2Q 基本功能

型号:FF07007M2Q
品牌:fastSiC (fastSiC)
封装:TO-247-4L
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:SICFET N-CH 750V 209A TO-247-4L
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):209A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 100A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 100mA（典型值）
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:325 nC @ 400 V
Vgs（最大值）:+15V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11048 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:600W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4L
封装/外壳:TO-247-4
FF07007M2Q-fastSiC代理全新原装现货

关于fastSiC公司MORE...

在当前功率半导体加速国产替代的背景下，碳化硅器件能否真正落地，往往不取决于原厂参数表有多漂亮，而在于供应链中是否存在既懂器件特性、又能提供本地化技术支持的合作伙伴。fastSiC深耕碳化硅功率器件领域，产品覆盖650V至1700V电压等级的SiC MOSFET与肖特基二极管，在新能源汽车车载充电机、光伏逆变器、储能变流器以及工业电机驱动等对效率与可靠性要求严苛的场景中积累了大量应用经验。作为fastSiC代理，我们并非简单地进行货源流转，而是围绕国产替代的切实需求，搭建起从选型评估、热设计仿真、驱动电路匹配到EMC整改的完整技术支持链路。相比传统硅基方案，碳化硅器件在高温高频工况下的开关损耗优势显著，但若栅极驱动电阻取值不当或寄生电感控制不到位，反而会引发振荡与误导通，这正是本地化FAE团队的价值所在我们能够在客户原理图评审阶段就介入，结合具体拓扑给出门极驱动与缓冲电路的优化建议，缩短从样机到量产的验证周期。同时，依托稳定的现货储备与可追溯的批次管理，我们帮助整机厂商规避因交期波动带来的产线停摆风险，让国产碳化硅方案在性能与供应两个维度上都具备替代进口器件的底气。...