IS20M028S1P-iDEAL公司 (iDEAL Semiconductor Devices, Inc.)-原装现货当天发货

IS20M028S1P

制造：iDEAL公司 (iDEAL Semiconductor Devices, Inc.)

类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET

规格：MOSFET N-CH 200V 41A TO-220

封装:TO-220

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iDEAL公司 (iDEAL Semiconductor Devices, Inc.)

IS20M028S1P 基本功能

型号:IS20M028S1P
品牌:iDEAL公司 (iDEAL Semiconductor Devices, Inc.)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 41A TO-220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 70A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2425 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
IS20M028S1P-iDEAL代理全新原装现货

关于iDEAL公司 (iDEAL Semiconductor Devices, Inc.)MORE...

当新能源汽车的电机控制器在高温工况下仍追求更低开关损耗，当数据中心48V母线架构对功率密度提出近乎苛刻的要求，当光伏逆变器与储能变流器在效率与可靠性之间反复权衡，功率器件早已不再是配角，而是决定整机性能边界的核心变量。iDEAL公司 (iDEAL Semiconductor Devices, Inc.) 正是在这样的产业语境中切入高压与中压功率半导体赛道，其产品线聚焦于高压超级结MOSFET及新一代宽禁带功率器件，凭借对导通电阻与栅极电荷的精细平衡，在硬开关与软开关拓扑中均展现出较低的优值系数。在汽车电子领域，iDEAL器件可覆盖OBC、DC-DC及主驱逆变等场景，配合AEC-Q101车规认证与低寄生电容设计，帮助Tier1缩短EMI调试周期；在工业与能源市场，其器件广泛用于伺服驱动、光伏组串逆变、充电桩功率模块及不间断电源，尤其在高频LLC与图腾柱PFC架构中，反向恢复特性与热阻表现直接影响系统功率密度。作为连接原厂与终端客户的桥梁，iDEAL代理渠道能够提供选型匹配、失效分析与供货协调等技术支持，帮助设计工程师在热设计、驱动电阻优化及并联均流等环节少走弯路。从消费级快充到工业级电机驱动，再到车载高压平台，iDEAL的器件定位始终围绕高效能与高可靠性展开，在功率半导体国产替代与全球供应链重构的双重趋势下，为终端市场提供了一条值得关注的器件路径。...