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    IPD10N03LA G
    IPD10N03LA G-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
    器件封装：PG-TO252-3
    IPD10N03LA G技术资料下载
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    市场上提供IPD10N03LA G原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：IPD10N03LA G
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：OptiMOS?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.4 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1358pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：52W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3
  • IPD10N03LA G | Infineon代理全新原装现货
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