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移动DDR SDRAM
移动DDR SDRAM

双倍数据速率
四个银行内部与银行的控制面板
可编程突发长度和CAS延时
省电有: 
- 部分阵列自刷新(PASR) 
- 温度Compenstate自刷新 
- 可选的输出驱动强度 
- 深度掉电
长期支持
移动DDR SDRAM
的PowerSaver移动DDR SDRAM
更多移动DRAM产品
LPDDR2 SDRAM
低电压/移动SDR SDRAM
CellularRAM的
的PowerSaver移动DDR SDRAM

巢穴 组织 类型 产品编号 VCC Refsh 速度(MHz) 封装(引脚) 状态 车型 评论
32M 2Mx16 MDDR IS43/46LR16200C 1.8V 4K 166133 BGA(60) IBIS
1Mx32 MDDR IS43/46LR32100C 1.8V 4K 166133 BGA(90) IBIS
64M 4Mx16 MDDR IS43/46LR16400B 1.8V 4K 166133 BGA(60) IBIS
2Mx32 MDDR IS43/46LR32200B 1.8V 4K 166133 BGA(90) IBIS
128M 8Mx16 MDDR IS43LR16800E 1.8V 4K 166133 BGA(60) NR IBIS
8Mx16 MDDR IS43/46LR16800F 1.8V 4K 166 BGA(60) IBIS
4Mx32 MDDR IS43LR32400E 1.8V 4K 166133 BGA(90) NR IBIS
4Mx32 MDDR IS43/46LR32400F 1.8V 4K 166 BGA(90) IBIS
256M 16Mx16 MDDR IS43/46LR16160F 1.8V 8K 200166133 BGA(60) NR IBIS
16Mx16 MDDR IS43/46LR16160G 1.8V 8K 200166133 BGA(60) IBIS , IBIS(46)
8Mx32 MDDR IS43/46LR32800F 1.8V 4K 200166133 BGA(90) NR IBIS , IBIS(46)
8Mx32 MDDR IS43/46LR32800G 1.8V 4K 200166133 BGA(90),POP(152) IBIS , IBIS(46)
512M 32Mx16 MDDR IS43/46LR16320B 1.8V 8K 166133 BGA(60) IBIS , IBIS(46)
32Mx16 MDDR IS43/46LR16320C 1.8V 8K 200166133 BGA(60) IBIS , IBIS(46)
16Mx32 MDDR IS43/46LR32160B 1.8V 8K 166133 BGA(90),POP(152) IBIS , IBIS(46)
16Mx32 MDDR IS43/46LR32160C 1.8V 8K 200166133 BGA(90),POP(152) IBIS , IBIS(46)
1G 64Mx16 MDDR IS43/46LR16640A 1.8V 8K 200166133 BGA(60) IBIS , IBIS(46)
32Mx32 MDDR IS43/46LR32320B 1.8V 8K 200166133 BGA(90) S = NOW
2G 64Mx32 MDDR IS43/46LR32640A 1.8V 8K 200166133 BGA(90) S = NOW IBIS , IBIS(46)
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