无与伦比的带宽和低的延迟

我们减少延迟DRAM（RLDRAM堀储器）是一种高性能，高密度存储解决方案，提供快速的类似SRAM的随机接入和持续的高带宽甚至超过领先的DDR3。RLDRAM用创新的电路设计以减少存取周期和即时的第一数据是可用的开始之间的时间。这些特点使RLDRAM一10GbE，理想的选择40gbe，和100G以太网数据包缓冲和检查，它支持在各种各样的FPGA和网络处理器解决方案。