pSemi功率放大器基于UltraCMOS RF SOI工艺，覆盖Sub-6GHz与毫米波频段，兼具高线性度与低功耗。支持5G NR、Wi-Fi 6E及物联网多模应用，集成偏置与保护电路，助力紧凑型前端设计。

pSemi混频器基于UltraCMOS技术，覆盖射频至毫米波频段，具备高线性度、低功耗与优异隔离度，适用于5G通信、相控阵雷达及测试仪器，为射频前端提供高集成度混频解决方案。

pSemi移相器基于UltraCMOS技术，覆盖射频至微波频段，具备低插损、高精度相位控制与快速切换能力，广泛应用于相控阵雷达、卫星通信及5G基站，是高性能波束赋形系统的核心器件。

pSemi天线调谐器基于UltraCMOS SOI工艺，集成高线性度开关与可调电容阵列，实现动态阻抗匹配。产品覆盖多频段与载波聚合场景，显著提升天线辐射效率与接收灵敏度，适用于智能手机、物联网及可穿戴设备。

pSemi公司（Peregrine Semiconductor）的UltraCMOS工艺平台是一项基于蓝宝石衬底射频绝缘体上硅（RF SOI）的先进集成电路制造技术，兼具高性能与高集成度。该平台支持射频开关、调谐器、混频器等器件的单片集成，广泛用于5G通信、智能手机、基站及物联网设备，是射频前端模块设计的重要选择。

pSemi公司DC-DC转换器系列基于电荷泵与电感式混合架构，兼具高效率与低静态电流，适用于便携医疗、工业传感及射频前端供电。其高集成度与可编程特性简化设计，助力紧凑型系统实现精准电源管理。

pSemi可重构射频前端（RFFE）基于UltraCMOS SOI工艺，以可编程架构替代传统分立方案，覆盖Sub-6GHz与毫米波频段，支持多模多频与载波聚合，为5G、物联网及测试设备提供高集成度、低功耗的射频链路解决方案。

pSemi数字步进衰减器基于UltraCMOS技术，覆盖宽频段、高线性度与低插损，支持串行/并行控制，适用于基站、测试仪器及微波无线电等射频链路，实现精准增益调节。

pSemi射频功率限幅器基于UltraCMOS技术，为接收链路提供纳秒级过驱保护。其低插入损耗、高线性度与快速响应特性，适用于基站、雷达及测试仪器等场景，有效防止高功率信号损坏敏感前端。