N60xx/65xx系列

用于中国的HVMos系列产品是具有低栅极电荷量和优良开关特性的N沟道MOSFET器件，专为高电压应用而设计，适合应用于开关电源，AC适配器等。

关键特性

通态电阻值超低

低栅极电荷量

栅极电压额定值: ±30 V

雪崩耐量额定

全塑封TO-220封装

2SK4145A

2SK4145A是一款为大电流开关应用而设计的N-沟道场效应晶体管

关键特性

低漏极/源极通态电阻

RDS (on) = 10 m 最大值(VGS = 10 V, ID = 42 A)

低输入电容值

Ciss = 3310 pF 典型值 (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

大电流

ID(DC) = ±84 A

雪崩耐量额定

符合RoHS规定

全金属TO-220封装