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基本参数
  • 制造商:Vishay(威世)
  • 封装:PowerPAK
  • 实时报价,当天发货
  • 功能:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • 欢迎通过电话、邮件、在线QQ与我们联系取得报价
  • 基本功能
  • 制造商零件编号:SIR882DP-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • 系列:TrenchFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):60A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):58nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1930pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:83W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK SO-8
  • 供应商器件封装:PowerPAK SO-8
  • 威世(Vishay)产品主要用途:More...
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