类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
封装:8-VDFN
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基本功能
制造商产品型号:DMT3009LDT-7制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 N 沟道(双)非对称型FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):30A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.1 毫欧 @ 14.4A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 15V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 15V功率-最大值:1.2W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-VDFNDMT3009LDT-7 | Diodes代理全新原装现货
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