类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
6-SSOT
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基本功能
制造商产品型号:FDC2612_F095制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)描述:MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT系列:PowerTrenchFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.1A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):725 毫欧 @ 1.1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):234pF @ 100V功率 - 最大值:800mW安装类型:表面贴装产品封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6供应商器件封装:6-SSOTFDC2612_F095 | Fairchild代理全新原装现货
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