类别：单端场效应管
规格：MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
DIRECTFET
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号：IRF6706S2TRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1系列：HEXFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17A（Ta），63A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 17A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1810pF @ 13V功率 - 最大值：1.8W安装类型：表面贴装产品封装：DirectFET 等容 S1供应商器件封装：DIRECTFET S1IRF6706S2TRPBF | IR代理全新原装现货以下产品与IRF6706S2TRPBF或许具有相似功能：
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
