首页
热卖型号
产品关注
各类应用
关于我们
联系我们
当前位置:
首页
>>
IXYS
> >
IXFN106N20
IXFN106N20
制造:
IXYS
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
器件封装:SOT-227B
IXFN106N20技术资料下载
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:IXFN106N20
制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
描述:MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HiPerFET?
零件状态:不適用於新設計
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200V
25°C时电流-连续漏极(Id):106A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 500mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):380nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9000pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):521W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SOT-227B
IXFN106N20 | IXYS代理全新原装现货
IXYS主要产品:
More...
MOSFET驱动器IC
固态继电器(MOSFET型)
XPTIGBTs
标准功率MOSFET
背光LED驱动器
MMIC放大器
HIPERDYNFRED超快二极管
MOSFET模块
IXYS产品主要用途:
More...
绿色能源
RF功率及系统
微控制器
集成电路
功率半导体
以下产品与IXFN106N20或许具有相似功能:
MUBW30-12A6
IXYS
IXSX40N60BD1
IXYS
VMO550-01F
IXYS
IXGP20N120A3
IXYS
IXFP72N20X3
IXYS
IXBOD1-42R
IXYS
DSS1-40BA
IXYS
DSA80C100PB
IXYS
IXFN130N90SK
IXYS
MWI50-12A7
IXYS
IXTA05N100
IXYS
ZGP323HSP4008C
IXYS
MCNA95PD2200TB
IXYS
ZMOT0BHH1C0AG
IXYS
MCD310-20IO1
IXYS
IXTK33N50
IXYS
IXGN72N60A3
IXYS
VKO55-16IO7
IXYS
IXDE514D1
IXYS
MCC501-12IO1
IXYS
专业代理销售各大IC品牌电子元器件 - 承诺原装 - 最快当天发货 - 无起订量限制
|
Sanken
|
Avago
|
Samtec
|
ILSI
|
SAMSUNG
|