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IXFN82N60P
IXFN82N60P
制造:
IXYS
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
器件封装:SOT-227B
IXFN82N60P技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:IXFN82N60P
制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
描述:MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:PolarHV?
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):72A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 41A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):240nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):23000pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1040W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SOT-227B
IXFN82N60P | IXYS代理全新原装现货
IXYS主要产品:
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MMIC放大器
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MOSFET模块
IXYS产品主要用途:
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绿色能源
RF功率及系统
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集成电路
功率半导体
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