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IXTA3N100P
IXTA3N100P
制造：
IXYS
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
器件封装：TO-263（IXTA）
IXTA3N100P技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：IXTA3N100P
制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收购）
描述：MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：PolarVHV?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：1000V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：39nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：TO-263（IXTA）
IXTA3N100P | IXYS代理全新原装现货
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