类别:场效应管阵列
规格:MOSFET N/P-CH 20V SOT363
PG-SOT363-6
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:BSD235C H6327制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363系列:OptiMOS?FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):950mA,530mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):350 毫欧 @ 950mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.6μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.34nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):47pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:PG-SOT363-6BSD235C H6327 | Infineon代理全新原装现货
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