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    BSO612CV G
    BSO612CV G-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：场效应管阵列
    规格：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
    PG-DSO-8
    BSO612CV G技术资料下载
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    市场上提供BSO612CV G原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSO612CV G
  • 制造厂家名称：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
  • 系列：SIPMOS
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A，2A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：PG-DSO-8
  • BSO612CV G | Infineon代理全新原装现货
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  • 创新汽车电子解决方案-英飞凌（Infineon）产品主要用途之一创新汽车电子解决方案
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