类别：单端场效应管
规格：MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
PG-TSDSON-8
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ105N04NS G制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 14μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 20V功率 - 最大值：35W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）BSZ105N04NS G | Infineon代理全新原装现货以下产品与BSZ105N04NS G或许具有相似功能：
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