类别:单路IGBT
规格:IGBT 1200V 200A 833W TMAX
原厂封装
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基本功能
Microsemi美高森美完整型号:APT75GN120B2G制造厂家名称:Microsemi Power Products Group描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX系列:-IGBT 类型:沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200ACurrent - Collector Pulsed (Icm):225A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,75A功率 - 最大值:833WSwitching Energy:8045μJ (开), 7640μJ (关)输入类型:标准Gate Charge:425nC25°C 时 Td(开/关)值:60ns/620nsTest Condition:800V, 75A, 1 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:*APT75GN120B2G | Microsemi代理全新原装现货
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