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    APTM100DA18T1G
    APTM100DA18T1G-Microsemi代理全新原装现货
    制造：美高森美（Microsemi）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
    器件封装：SP1
    APTM100DA18T1G技术资料下载
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    市场上提供APTM100DA18T1G原装现货的美高森美代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：APTM100DA18T1G
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1000V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：216 毫欧 @ 33A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：570nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14800pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：657W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 器件封装：SP1
  • APTM100DA18T1G | Microsemi代理全新原装现货
    • 美高森美（Microsemi）主要产品：More...
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  • 分立器件-美高森美（Microsemi）主要产品之一分立器件
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  • 以太网供电（PoE）-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一以太网供电（PoE）
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