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    APTM100DDA35T3G
    APTM100DDA35T3G-Microsemi代理全新原装现货
    制造：美高森美（Microsemi）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    规格：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
    封装：SP3
    APTM100DDA35T3G技术资料下载
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    市场上提供APTM100DDA35T3G原装现货的美高森美代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：APTM100DDA35T3G
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：22A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 11A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：186nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V
  • 功率-最大值：390W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP3
  • APTM100DDA35T3G | Microsemi代理全新原装现货
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  • 射频，微波和毫米波-美高森美（Microsemi）主要产品之一射频，微波和毫米波
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