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    JAN1N6116US
    JAN1N6116US-Microsemi代理全新原装现货
    制造：美高森美（Microsemi）
    类别：TVS - 二极管
    规格：TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF
    封装：SQ-MELF，B
    JAN1N6116US技术资料下载
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    市场上提供JAN1N6116US原装现货的美高森美代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：JAN1N6116US
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF
  • 系列：TVS - 二极管
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/516
  • 零件状态：有源
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：-
  • 双向通道：1
  • 电压-反向断态（典型值）：20.6V
  • 电压-击穿（最小值）：24.42V
  • 不同Ipp时电压-箝位（最大值）：39.27V
  • 电流-峰值脉冲(10/1000μs)：12.73A
  • 功率-峰值脉冲：500W
  • 电源线路保护：无
  • 应用：通用
  • 不同频率时电容：-
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SQ-MELF，B
  • JAN1N6116US | Microsemi代理全新原装现货
    • 美高森美（Microsemi）主要产品：More...
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  • 集成电路-美高森美（Microsemi）主要产品之一集成电路
  • 微处理器-美高森美（Microsemi）主要产品之一微处理器
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  • 企业基础架构-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一企业基础架构
  • 智能建筑-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一智能建筑
  • 照明控制传感器-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一照明控制传感器
  • 以太网供电（PoE）-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一以太网供电（PoE）
  • 能量收集传感器-美高森美（Microsemi）产品主要用途之一能量收集传感器
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