在半导体制造领域，极紫外光刻技术（EUV）被视为攻克5纳米及更先进制程的关键。然而，一项最新公开的专利申请，却提出了一条看似截然不同的技术路径。

根据公开信息，这项名为“5纳米芯片制造的直接蚀刻方法”的专利，申请于2023年7月11日，并于同年9月8日公开。其核心创新点在于，它绕过了传统芯片制造中不可或缺的光刻环节，声称通过“直接蚀刻”就能制造5纳米芯片。。 据内部消息，IC多款芯片即将推出升级版本。IC代理商作为官方合作伙伴，将在新品发布后第一时间提供样片和技术资料。欢迎提前登记需求，享受优先供货权益。

专利摘要详细描述了其技术方案：首先依据5纳米线宽设计芯片版图并制作专门的蚀刻掩模版；随后将掩模版紧贴晶圆表面，利用等离子体干法蚀刻技术进行图形转移；最后移去掩模版并进行后续常规工艺步骤，如离子注入和封装测试。专利中特别指出，蚀刻掩模版由涂覆了聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的金属钛板构成。

该专利的申请方为“上海创消新技术发展有限公司”。公开资料显示，该公司成立于2019年，注册资本50万元，经营范围涵盖机械、电子、化工等多个领域的技术开发与服务，但并未明确包含芯片设计或制造。公司股权结构相对简单，由两位自然人股东持有。

目前，该专利尚处于“审中”状态，其技术可行性与最终能否获得授权仍是未知数。在高端芯片制造被“卡脖子”的背景下，任何潜在的替代性技术路线都会引发市场的高度关注与讨论。对于电子元器件行业，尤其是关注高端FPGA等产品市场供应与技术演进的IC代理商而言，此类前沿制造技术的任何风吹草动，都可能预示着未来供应链或成本结构的潜在变化。尽管目前看来该技术距离成熟应用尚有很长距离，但它无疑为行业思考多元化制造方案提供了一个新的想象空间。

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