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    PMXB360ENEA
    PMXB360ENEA-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
    规格：MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
    3-XDFN
    PMXB360ENEA技术资料下载
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    市场上提供PMXB360ENEA原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • Nexperia公司器件型号：PMXB360ENEA
  • 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：-
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：80V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：130pF @ 40V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：400mW（Ta），6.25W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 1.1A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：DFN1010D-3
  • 封装形式：3-XDFN
  • PMXB360ENEA的标准包装数量(SPQ)：5000 PCS
  • PMXB360ENEA | Nexperia代理全新原装现货
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  • 双极性晶体管-安世半导体（Nexperia）主要产品之一双极性晶体管
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