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    PMZB350UPE
    PMZB350UPE-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
    规格：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
    3-XFDFN
    PMZB350UPE技术资料下载
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    市场上提供PMZB350UPE原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • Nexperia公司器件型号：PMZB350UPE,315
  • 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：-
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：P 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：127pF @ 10V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：360mW（Ta），3.125W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 300mA，4.5V
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：3-DFN1006B（0.6x1）
  • 封装形式：3-XFDFN
  • PMZB350UPE的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
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