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    PSMN4R3-80ES
    PSMN4R3-80ES-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
    规格：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
    TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
    PSMN4R3-80ES技术资料下载
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    市场上提供PSMN4R3-80ES原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • Nexperia公司器件型号：PSMN4R3-80ES,127
  • 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：-
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：80V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：111nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：8161pF @ 40V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：306W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 25A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • Nexperia公司标准封装：I2PAK
  • 封装形式：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
  • PSMN4R3-80ES的标准包装数量(SPQ)：- PCS
  • PSMN4R3-80ES | Nexperia代理全新原装现货
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