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    PSMN6R1-30YLDX
    PSMN6R1-30YLDX-Nexperia代理全新原装现货
    制造：安世半导体（Nexperia）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
    器件封装：LFPAK56，Power-SO8
    PSMN6R1-30YLDX技术资料下载
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    市场上提供PSMN6R1-30YLDX原装现货的安世半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：PSMN6R1-30YLDX
  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：66A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.6nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：817pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：47W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：LFPAK56，Power-SO8
  • PSMN6R1-30YLDX | Nexperia代理全新原装现货
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