类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:PT11N 30/12 & PT11N 30/12
封装:8-PowerWDFN
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基本功能
制造商产品型号:FDMS1D2N03DSD制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:PT11N 30/12 & PT11N 30/12系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:PowerTrench?零件状态:有源FET类型:2 N 沟道(双)非对称型FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):19A(Ta),70A(Tc),37A(Ta),164A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.25 毫欧 @ 19A,10V,0.97 毫欧 @ 37A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 320μA,3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):33nC @ 10V,117nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1410pF @ 15V,4860pF @ 15V功率-最大值:2.1W(Ta),26W(Tc),2.3W(Ta),42W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerWDFNFDMS1D2N03DSD | ON代理全新原装现货
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