类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
器件封装:8-PQFN(5x6)
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基本功能
制造商产品型号:FDMS1D4N03S制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:PowerTrench?, SyncFET?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):211A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.09 毫欧 @ 38A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 4.5VVgs(最大值):±16V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):10250pF @ 15VFET功能:肖特基二极管(体)功率耗散(最大值):74W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:8-PQFN(5x6)FDMS1D4N03S | ON代理全新原装现货
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