类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 650V 150A 375W TO247
封装:TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号:FGH75T65SQD-F155制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 650V 150A 375W TO247系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):150A电流-集电极脉冲(Icm):300A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):-功率-最大值:375W开关能量:760μJ(开),180μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:128nC25°C时Td(开/关)值:-测试条件:-反向恢复时间(trr):43ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3FGH75T65SQD-F155 | ON代理全新原装现货
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