类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：650V FS GEN3 TRENCH IGBT
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：FGY160T65SPD-F085制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：650V FS GEN3 TRENCH IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：240A电流-集电极脉冲(Icm)：480A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，160A功率-最大值：882W开关能量：12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：53ns/98ns测试条件：400V，160A，15V反向恢复时间(trr)：132ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3FGY160T65SPD-F085 | ON代理全新原装现货以下产品与FGY160T65SPD-F085或许具有相似功能：
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