基本功能
制造商产品型号:FQP4N60制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:QFET?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):4.4A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.2 欧姆 @ 2.2A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):670pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):106W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220-3FQP4N60 | ON代理全新原装现货