类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
封装：TO-247-3
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号：NGTB30N65IHL2WG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A功率-最大值：300W开关能量：200μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：135nC25°C时Td（开/关）值：-/145ns测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：430ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3NGTB30N65IHL2WG | ON代理全新原装现货以下产品与NGTB30N65IHL2WG或许具有相似功能：
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
