类别：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
规格：SURF MT BIASED RES XSTR
封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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基本功能
制造商产品型号：NSVIMD10AMT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：SURF MT BIASED RES XSTR系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置零件状态：有源晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA电压-集射极击穿（最大值）：50V电阻器-基极(R1)：13 千欧，130 欧姆电阻器-发射极(R2)：10 千欧不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA电流-集电极截止（最大值）：500nA频率-跃迁：-功率-最大值：285mW安装类型：表面贴装型封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6NSVIMD10AMT1G | ON代理全新原装现货以下产品与NSVIMD10AMT1G或许具有相似功能：
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