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K4A8G165WB-BITD
K4A8G165WB-BITD
制造:
三星半导体
类别:
双倍数据率同步动态随机存储器
规格:
SAMSUNG DRAM NAND
96FBGA
K4A8G165WB-BITD技术资料下载
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基本功能
三星芯片型号:K4A8G165WB-BITD
制造商:SAMSUNG(三星半导体)
功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
容量:8Gb
架构:512M x 16
速率:2666 Mbps
工作电压:1.2 V
工作温度:-40 ~ 95 °C
封装:96FBGA
产品状态:批量生产
K4A8G165WB-BITD | 三星半导体代理全新原装现货
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