首页
热卖型号
产品关注
各类应用
关于我们
联系我们
当前位置:
首页
>>
三星半导体
> >
K4B1G0846I-BCK0
K4B1G0846I-BCK0
制造:
三星半导体
类别:
双倍数据率同步动态随机存储器
规格:
SAMSUNG DRAM NAND
78FBGA
K4B1G0846I-BCK0技术资料下载
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
三星芯片型号:K4B1G0846I-BCK0
制造商:SAMSUNG(三星半导体)
功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
容量:1Gb
架构:128M x 8
速率:1600 Mbps
工作电压:1.5 V
工作温度:0 ~ 85 °C
封装:78FBGA
产品状态:批量生产
K4B1G0846I-BCK0 | 三星半导体代理全新原装现货
三星半导体主要产品:
More...
移动存储器
电源管理IC
显示解决方案
消费DRAM
闪存解决方案
智能IC卡技术
图形内存
电脑DRAM
三星半导体产品主要用途:
More...
数字/智能电视,机顶盒
三星移动DRAM
数码/摄像机
桌面计算机
多芯片封装
服务器
功能手机
CMOS图像传感器
以下产品与K4B1G0846I-BCK0或许具有相似功能:
SPHWHAHDNA25YZU2D3
三星半导体
RC1608F1783CS
三星半导体
CL10C820JB8NNNC
三星半导体
CL10C240JB8NNND
三星半导体
SPHWHAHDNK2VYZTVD2
三星半导体
CIGT160806UM1R0MNC
三星半导体
SPHWHAHDND27YZT3D1
三星半导体
SPHWHAHDND27YZT2D2
三星半导体
SPHWHAHDNE25YZU3D1
三星半导体
K4T1G164QF-BCE7
三星半导体
CL32F475ZO9LNNE
三星半导体
KM68U2000LT-10L
三星半导体
SPMWHT327FD5GBW0S3
三星半导体
CIH05T68NJNC
三星半导体
CL05B102KB5NCNC
三星半导体
CL05A225KO5NQNC
三星半导体
CL31B103KCCNNNC
三星半导体
S3C2410AL-20
三星半导体
KM44V4100CK-L6
三星半导体
RC0603F202CS
三星半导体
专业代理销售各大IC品牌电子元器件 - 承诺原装 - 最快当天发货 - 无起订量限制
|
Richtek
|
Helix
|
AMS
|
Alliance Memory
|
Renesas
|