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    K4B1G0846I-BYNB
    K4B1G0846I-BYNB-三星半导体代理全新原装现货
    制造：三星半导体
    类别：双倍数据率同步动态随机存储器
    规格：SAMSUNG DRAM NAND
    78FBGA
    K4B1G0846I-BYNB技术资料下载
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    市场上提供K4B1G0846I-BYNB原装现货的三星半导体代理商之一
    基本功能
  • 三星芯片型号：K4B1G0846I-BYNB
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：1Gb
  • 架构：128M x 8
  • 速率：2133 Mbps
  • 工作电压：1.35 V
  • 工作温度：0 ~ 85 °C
  • 封装：78FBGA
  • 产品状态：批量生产
  • K4B1G0846I-BYNB | 三星半导体代理全新原装现货
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