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三星半导体
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K4B4G0846D-BYH9
K4B4G0846D-BYH9
制造:
三星半导体
类别:
双倍数据率同步动态随机存储器
规格:
SAMSUNG DRAM NAND
78FBGA
K4B4G0846D-BYH9技术资料下载
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基本功能
三星芯片型号:K4B4G0846D-BYH9
制造商:SAMSUNG(三星半导体)
功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
容量:4Gb
架构:512M x 8
速率:1333 Mbps
工作电压:1.35 V
工作温度:0 ~ 85 °C
封装:78FBGA
产品状态:批量生产
K4B4G0846D-BYH9 | 三星半导体代理全新原装现货
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