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K4F2E3S4HM-MHCJ
K4F2E3S4HM-MHCJ
制造：
三星半导体
类别：
低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
200FBGA
K4F2E3S4HM-MHCJ技术资料下载
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基本功能
三星芯片型号：K4F2E3S4HM-MHCJ
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
容量：12Gb
架构：x32
速率：3733 Mbps
工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
工作温度：-40 ~ 105 °C
封装：200FBGA
产品状态：批量生产
K4F2E3S4HM-MHCJ | 三星半导体代理全新原装现货
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